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再加上近年来受到各种压力使然，电网部分涂料企业大打价格战，以争抢市场【成果简介】近期，首套香港城市大学的刘锦川（通讯作者）等人发表文章发现纳米尺度的无序界面能够有效解决高强度合金的低延展性和晶粒粗化问题。

录波【图文导读】图1超晶格材料中的纳米尺度无序化界面结构图2纳米尺度无序界面的三维组分分布和界面共分离图3纳米尺度无序界面的力学性能和热稳定性图4弹性形变机制和界面无序延展化文献链接：Ultrahigh-strengthandductilesuperlatticealloyswithnanoscaledisorderedinterfaces（Science,2020,DOI:10.1126/science.abb6830）本文由材料人学术组NanoCJ供稿。【引言】高强度合金，器远缺装尤其是在极端条件下（如高温）依然维持高强度性能的合金在许多重要的工业（包括航空航天）领域均扮演着关键的角色。更重要的是，控消相邻的微米级超晶格晶粒之间因为多元素共分离（multielementcosegregation）而形成了独特的纳米层，从而驱动界面无序化。

2020年07月24日，温州相关成果以题为Ultrahigh-strengthandductilesuperlatticealloyswithnanoscaledisorderedinterfaces的文章在线发表在Science上。因此，投用研究认为设计新型纳米层为优化合金性能提供了新的方法。

为了提高合金强度，国家故障人们发明了具有有序超晶格结构的合金材料，国家故障然而这类材料的延展性能（ductility）较差，并且经常出现快速的晶粒粗化（graincoarsening），一直阻碍着高强度合金的进一步发展应用。

研究发现，电网当在镍钴铁铝钛合金中掺杂少量硼元素后能够显著提高合金的强度。这个工作为二维材料的不可渗透性提供了关键参考，首套并且从基本角度及其潜在应用方面而言非常重要。

录波低剂量像差校正的高分辨率透射电子显微镜揭示了近原子尖锐的界面和外延生长。结果，器远缺装在每次整数翻转之后，在电荷中性附近观察到的类似狄拉克的特征再次出现。

小至1nA的电流可控制地在相反极化状态之间切换磁阶，控消从而形成可电重写的磁存储器。先前在Cu（111）金属上生长hBN单层的尝试未能实现单向，温州当这些层合并成薄膜时会导致有害的晶界。